Diode Schottky không có tiếp giáp p-n, mà là tiếp giáp kim loại-bán dẫn. Bề mặt tiếp xúc giữa kim loại và bán dẫn được gọi là tiếp xúc Schottky, và ở đây xuất hiện rào cản thế năng gọi là hàng rào Schottky, tác động như tiếp giáp p-n. Các vật liệu chọn lọc được pha tạp để trên bề mặt chất bán dẫn xuất hiện vùng làm nghèo, trong khi phần kim loại thể hiện là tiếp xúc ohmic.

Kim loại điển hình được sử dụng là molybden, bạch kim, crom, tungsten, và các silicide nhất định như silicide palladi và silicide bạch kim, làm việc với silic n-type.[2]